接觸光刻機(jī)是最早期、最基礎(chǔ)的光刻設(shè)備之一，在集成電路和微納加工的初期階段被廣泛應(yīng)用。所謂“接觸光刻”，是指掩模（Mask）與光刻膠（Photoresist）直接接觸，紫外光穿過掩模上的圖案后照射在涂有光刻膠的晶圓表面，實(shí)現(xiàn)圖案的轉(zhuǎn)移。

在現(xiàn)代高端制程中，接觸光刻機(jī)已不適合用于納米級(jí)別的芯片制造，但在一些低成本、對(duì)精度要求不高的場(chǎng)合（如MEMS制造、印刷電路板加工、實(shí)驗(yàn)室研發(fā)、小規(guī)模芯片工藝教育等），接觸光刻仍然具有重要應(yīng)用價(jià)值。

工作原理

接觸光刻的基本構(gòu)造包括三部分：紫外光源、掩模版和載片臺(tái)。

工作過程如下：

晶圓表面旋涂光刻膠，形成均勻的感光層。

掩模圖案設(shè)計(jì)完成并制作，固定在掩模夾具中。

掩模通過對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)與晶圓對(duì)齊，使圖案能正確轉(zhuǎn)移。

掩模直接接觸光刻膠層（無空氣間隙），同時(shí)開啟紫外光照射。

通過光照使光刻膠發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，完成曝光。

曝光后經(jīng)過顯影工藝，非曝光區(qū)域或曝光區(qū)域（視光刻膠種類而定）被顯影液溶解，形成所需圖案。

因?yàn)檠谀：凸饪棠z表面緊密接觸，光的衍射效應(yīng)極小，從而獲得較高的圖案分辨率。

特點(diǎn)與優(yōu)缺點(diǎn)

優(yōu)點(diǎn)：

高分辨率

接觸光刻由于掩模和晶圓表面無間隙，幾乎不發(fā)生衍射，可以獲得較高的圖形清晰度。早期接觸光刻機(jī)可實(shí)現(xiàn)約1微米甚至亞微米級(jí)別的線寬。

設(shè)備簡(jiǎn)單，成本低

結(jié)構(gòu)緊湊、無復(fù)雜投影系統(tǒng)或高精度鏡頭，適合教學(xué)、科研和小批量生產(chǎn)。維護(hù)成本遠(yuǎn)低于現(xiàn)代投影式光刻機(jī)。

光源利用率高

沒有透鏡和反射鏡的能量損耗，光強(qiáng)利用效率較高。

缺點(diǎn)：

掩模易損耗

掩模與晶圓直接接觸，容易因顆粒污染或劃痕造成掩模損壞，使用壽命短，重復(fù)利用次數(shù)有限。

顆粒缺陷多

微小顆粒夾在掩模與晶圓之間容易導(dǎo)致圖案轉(zhuǎn)移失敗或造成晶圓缺陷，影響良率。

對(duì)準(zhǔn)精度有限

接觸過程中精密對(duì)準(zhǔn)較為困難，尤其在多層圖案曝光中，難以實(shí)現(xiàn)極高的層間對(duì)準(zhǔn)精度。

不適用于大規(guī)模生產(chǎn)

因?yàn)檠谀p耗高、維護(hù)頻繁、良率偏低，不適合現(xiàn)代晶圓廠批量制造的需求。

應(yīng)用場(chǎng)景

雖然接觸光刻機(jī)在先進(jìn)制程（如7nm、5nm）中已經(jīng)被投影式光刻機(jī)（如DUV、EUV）所取代，但它在以下幾個(gè)領(lǐng)域仍然具有不可替代的價(jià)值：

微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）加工：MEMS器件對(duì)結(jié)構(gòu)精度要求適中，接觸光刻工藝簡(jiǎn)單、快速、成本低。

科研實(shí)驗(yàn)室：用于教學(xué)實(shí)驗(yàn)、材料研究和光刻工藝驗(yàn)證。

柔性電子、傳感器制造：小批量、低成本產(chǎn)品的圖案轉(zhuǎn)移。

大學(xué)與初創(chuàng)企業(yè)的原型驗(yàn)證：適合低預(yù)算條件下的芯片設(shè)計(jì)試驗(yàn)。

發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢(shì)

隨著半導(dǎo)體制程不斷向納米級(jí)進(jìn)發(fā)，接觸光刻已不再適合高端邏輯芯片制造。然而，在“后摩爾時(shí)代”的技術(shù)探索中，如二維材料加工、柔性電子、量子器件等領(lǐng)域，其簡(jiǎn)便、快速的特點(diǎn)又重新被重視。

目前一些設(shè)備廠商還在繼續(xù)優(yōu)化接觸光刻設(shè)備，比如加入更高精度的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)、自動(dòng)掩模更換裝置、真空貼合模塊等，以延長(zhǎng)掩模壽命、提升制程一致性。

未來，接觸光刻可能更多地與其他技術(shù)結(jié)合使用，如納米壓印（Nanoimprint Lithography）或激光直寫，共同構(gòu)建適合中低成本電子制造的解決方案。