在2000年代初期，光刻機(jī)在半導(dǎo)體行業(yè)中扮演著至關(guān)重要的角色。2000年代初期的光刻技術(shù)已經(jīng)取得了顯著的進(jìn)步，使得制程尺寸得以不斷縮小，從而推動了半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。然而，2000年代初期的光刻機(jī)技術(shù)主要集中在傳統(tǒng)的紫外光刻技術(shù)上，其分辨率和精度受到了波長的限制，因此無法實(shí)現(xiàn)像今天的歐盟光刻技術(shù)（Extreme Ultraviolet Lithography，EUV光刻）那樣極高的分辨率。

在2000年代初期，光刻機(jī)的制程尺寸主要集中在幾十納米到百納米級別。具體來說，光刻機(jī)在2000年代初期主要應(yīng)用于制造90納米到130納米級別的芯片結(jié)構(gòu)。這一時期，半導(dǎo)體行業(yè)的主要焦點(diǎn)是在提高集成度、降低功耗和提高性能方面進(jìn)行研究和創(chuàng)新。紫外光刻技術(shù)雖然已經(jīng)取得了一定的進(jìn)步，但其分辨率和精度仍然受到了限制，因此難以實(shí)現(xiàn)更小型化、更高密度的芯片結(jié)構(gòu)制造。

然而，盡管2000年代初期的光刻技術(shù)仍然受到了一些限制，但半導(dǎo)體行業(yè)在這一時期依然取得了一系列重要的技術(shù)突破。例如，在這一時期，半導(dǎo)體制造商不斷探索和改進(jìn)光刻技術(shù)，引入了多層曝光、多重暴光和光刻技術(shù)改進(jìn)等新技術(shù)和方法，以提高制程尺寸的精度和分辨率。此外，還引入了一些新的材料和工藝，如低介電常數(shù)材料、多層金屬化等，以進(jìn)一步提高芯片的性能和功耗。

在2000年代初期，雖然光刻技術(shù)仍然受到了一些限制，但半導(dǎo)體行業(yè)在這一時期依然取得了一些重要的進(jìn)展。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和創(chuàng)新，光刻機(jī)的制程尺寸在未來幾年可能會繼續(xù)縮小，實(shí)現(xiàn)更小型化、更高密度的芯片結(jié)構(gòu)制造。總的來說，2000年代初期的光刻機(jī)技術(shù)雖然無法與當(dāng)今的EUV光刻技術(shù)相比，但在當(dāng)時仍然是半導(dǎo)體制造中至關(guān)重要的關(guān)鍵技術(shù)之一，為行業(yè)的發(fā)展做出了重要貢獻(xiàn)。