光刻機是一種關(guān)鍵的半導體制造設(shè)備，主要用于將設(shè)計好的芯片圖案投射到硅片表面，以制造集成電路和其他微納米器件。光刻機使用的光源是制造過程中至關(guān)重要的組成部分，其光束的特性直接影響了圖案的精度、分辨率和生產(chǎn)效率。

紫外光（UV）

紫外光是最常用的光刻光源之一，通常使用波長為365納米或248納米的紫外線。紫外光具有較短的波長和高能量，能夠?qū)崿F(xiàn)較高分辨率和精度的圖案轉(zhuǎn)移。UV光刻機在半導體制造中應用廣泛，特別是在傳統(tǒng)的二維圖案制造中。

可見光

可見光光刻機使用可見光作為光源，通常在波長為400納米至700納米之間。可見光刻機通常用于制造一些簡單的結(jié)構(gòu)和圖案，如光學元件、生物芯片等，其分辨率和精度相對較低。

極紫外光（EUV）

極紫外光是一種高能量、高分辨率的光源，其波長通常在10納米至20納米之間。EUV光刻機能夠?qū)崿F(xiàn)極高的分辨率和精度，適用于制造先進的半導體器件，如7納米及以下的微處理器、存儲器等。

電子束（e-beam）

電子束光刻機使用電子束作為光源，具有極高的分辨率和精度，可實現(xiàn)納米級別的圖案轉(zhuǎn)移。電子束光刻機通常用于制造一些特殊的微納米結(jié)構(gòu)，如MEMS器件、光子晶體等。

深紫外光（DUV）

深紫外光是介于紫外光和極紫外光之間的一種光源，通常在波長為193納米或157納米之間。DUV光刻機具有較高的分辨率和精度，廣泛應用于先進的半導體制造中。

光刻機在不同的制造過程中選擇合適的光源，以實現(xiàn)所需的分辨率、精度和生產(chǎn)效率。隨著半導體制造技術(shù)的不斷發(fā)展和進步，光刻機的光源也在不斷演進和改進，以滿足日益嚴格的制造要求和市場需求。