極紫外（EUV）光刻技術被視為下一代半導體制造的關鍵技術之一，具有更高的分辨率和更快的生產速度，能夠滿足日益增長的芯片制造需求。然而，EUV光刻機的價格一直是業(yè)界關注的焦點，因為其技術復雜性和高昂的成本使得其價格相對較高。

技術復雜性： EUV光刻機的制造難度較大，需要使用極端紫外光源來照射光刻膠，以實現超高分辨率的圖案轉移。這種光源的制造技術非常復雜，成本較高，也是EUV技術中的關鍵瓶頸之一，直接影響著光刻機的價格。

高昂的研發(fā)和制造成本： 研發(fā)和制造EUV光刻機需要大量的資金投入和技術支持。制造商需要進行大規(guī)模的研發(fā)工作，開發(fā)出符合市場需求的高性能光刻機，同時還需要投入大量資金用于設備制造、測試和驗證等環(huán)節(jié)，這些成本都會直接影響到最終產品的價格。

供應鏈問題： EUV光刻機的制造過程涉及到多個供應鏈環(huán)節(jié)，包括光源制造、光刻機組裝、光刻膠供應等，其中任何一個環(huán)節(jié)的問題都可能導致整體供應鏈的延遲或中斷，進而影響到產品的交付和價格。

市場需求和競爭： 盡管EUV技術被認為是未來芯片制造的趨勢，但由于其技術成熟度和成本等方面的限制，目前仍然面臨一定的市場挑戰(zhàn)。同時，ASML作為主要的EUV光刻機制造商，壟斷了該領域的大部分市場份額，這也為其提供了一定的定價權。

綜上所述，EUV光刻機的價格通常在數千萬美元至數億美元之間，取決于多個因素的綜合影響。盡管價格較高，但隨著技術的進步和市場的發(fā)展，EUV光刻機的成本可能會逐漸降低，為其在半導體制造業(yè)的廣泛應用打下基礎。