EUV光刻機(jī)是集成電路制造的核心設(shè)備，是制造10nm以下工藝芯片的必備設(shè)備。目前，全球只有荷蘭的ASML公司能夠生產(chǎn)EUV光刻機(jī)。

我國正在積極研發(fā)EUV光刻機(jī)，取得了一定的進(jìn)展。上海微電子裝備（集團(tuán)）股份有限公司（SMEE）于2023年12月成功研發(fā)出28nm浸沒式光刻機(jī)，并交付給中芯國際。SMEE還計(jì)劃在2027年實(shí)現(xiàn)7nm光刻機(jī)的量產(chǎn)。

國產(chǎn)EUV光刻機(jī)的未來

隨著我國集成電路產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，對EUV光刻機(jī)的需求不斷增加。國產(chǎn)EUV光刻機(jī)的研發(fā)和生產(chǎn)具有重要意義，將為我國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供有力保障。

國產(chǎn)EUV光刻機(jī)的研發(fā)路線

根據(jù)SMEE的規(guī)劃，國產(chǎn)EUV光刻機(jī)的研發(fā)將分為三個階段：

第一階段（2023-2027年）：研發(fā)28nm浸沒式光刻機(jī)，并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

第二階段（2027-2032年）：研發(fā)7nm光刻機(jī)，并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

第三階段（2032年以后）：研發(fā)2nm光刻機(jī)。

國產(chǎn)EUV光刻機(jī)的進(jìn)展

截至目前，國產(chǎn)EUV光刻機(jī)的研發(fā)取得了一定的進(jìn)展：

28nm浸沒式光刻機(jī)：SMEE于2023年12月成功研發(fā)出28nm浸沒式光刻機(jī)，并交付給中芯國際。

7nm光刻機(jī)：SMEE計(jì)劃在2027年實(shí)現(xiàn)7nm光刻機(jī)的量產(chǎn)。

國產(chǎn)EUV光刻機(jī)的挑戰(zhàn)

國產(chǎn)EUV光刻機(jī)的研發(fā)面臨著諸多挑戰(zhàn)，包括：

EUV光源的研發(fā)和生產(chǎn)：EUV光源是EUV光刻機(jī)的核心部件，其研發(fā)和生產(chǎn)具有極高的技術(shù)難度。EUV光源需要使用氖氟氪（NeF2）氣體作為激光介質(zhì)，其生產(chǎn)工藝復(fù)雜，需要采用先進(jìn)的真空技術(shù)。

光學(xué)設(shè)計(jì)：EUV光刻機(jī)的光學(xué)設(shè)計(jì)要求極高，需要采用先進(jìn)的光學(xué)設(shè)計(jì)技術(shù)。

工藝制造：EUV光刻機(jī)的制造工藝要求極高，需要采用先進(jìn)的制造工藝。

國產(chǎn)EUV光刻機(jī)的研發(fā)是一項(xiàng)復(fù)雜而艱巨的任務(wù)，需要長期的努力和積累。相信隨著我國集成電路產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，國產(chǎn)EUV光刻機(jī)的研發(fā)也將取得突破性的進(jìn)展，為我國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供強(qiáng)有力的支撐。